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상세 정보 |
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| 상품 이름: | 단일 디스크 금속 산화 배리스터 40D431K | 바리스터 본체 사이즈: | 40 밀리미터 |
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| 타입: | 40d 시리즈 금속 산화 배리스터 | 바리스터 전압: | 200V~1200V |
| 바리스터 전압에 대한 허용한도: | Ｋ +/-10% | 패킹 모양: | 크기 또는 테이핑 탄약 |
| 코팅: | 에폭시 수지 | 맥스. 무방한 전압(AC): | 130V~750V |
| 맥스. 무방한 전압(DC): | 170V~980V | 또 다른 이름: | 일시적 / 서지 흡수기 |
| 하이 라이트: | 단일 디스크 금속 산화물 배리스터,40D431K 금속 산화물 배리스터,40MM mov 서지 보호 |
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제품 설명
큰 파도 보호를 위한 고에너지 단 하나 원판 금속 산화물 배리스터 40D431K 40mm
금속 산화물 배리스터 40D431K의 정의
AMPFORT 고에너지 금속 산화물 배리스터 "D" 및 "S" 시리즈 고에너지 계열 대형 탭 리드 배리스터는 높은 피크 전류를 처리하고 많은 양의 에너지를 흡수할 수 있도록 설계되었습니다.다양한 공간에 장착할 수 있도록 원형(D) 및 사각형(S) 모양으로 제공되며 고객이 제공하는 고유한 전기 접점 또는 포장 방법이 필요한 특수 용도를 위한 베어 디스크 형태로 제공됩니다.이 장치의 전극 마감은 납땜이 가능하며 압력 접점과 함께 사용할 수 있습니다.Bare Disc 제품은 동일한 직경의 디스크가 쌓일 수 있는 특정 용도에도 사용할 수 있습니다.
금속 산화물 배리스터(MOV 또는 VDR)는 스위칭 펄스 또는 유도 낙뢰 서지로부터 모든 종류의 전자 장치 또는 요소를 보호하도록 설계된 대칭 전압-전류 특성을 가진 전압 종속 저항기입니다.비선형 특성으로 적용 범위가 넓고 양산 가능성이 있어 저전압에서 고전압 보호(AC 11V ~ AC 1000V 범위가 가능)까지 다양한 수준의 전기전자기기에 점차 적용되고 있습니다.
일반 유형의 금속 산화물 배리스터는 과도 전압 및 서지 억제를 위해 AC 라인 1차 또는 DC 회로에서 연속적으로 사용하도록 설계된 방사형 리드 배리스터(MOV 또는 VDR)입니다.
금속 산화물 배리스터 40D431K 소개
VARISTOR는 반도전성 산화아연(ZnO) Grain과 2차상(Bi2O3,Sb2O3, MnO, CoO 등 포함)으로 구성된 다결정 세라믹 본체로 Grain의 접합부에 위치하며 Varistor(가변저항기)라고 함
Ø 40D 시리즈 금속 산화물 배리스터
| 부품 번호 | 진공(V) | 직류(V) | V1mA(V) | 아이피(A) | Vc(V) | 나(아) | (제이) | @1KHz(pF) |
| 40D330K | 20 | 26 | 33(29.5-36.5) | 60 | 65 | 12000 | 55 | 48000 |
| 40D390K | 25 | 31 | 39(35-43) | 60 | 77 | 12000 | 70 | 35000 |
| 40D470K | 30 | 38 | 47(42-52) | 60 | 93 | 12000 | 85 | 31000 |
| 40D560K | 35 | 45 | 56(50-62) | 60 | 110 | 12000 | 100 | 27000 |
| 40D680K | 40 | 56 | 68(61-75) | 60 | 135 | 12000 | 125 | 24000 |
| 40D820K | 50 | 65 | 82(74-90) | 300 | 135 | 30000 | 150 | 20500 |
| 40D121K | 75 | 100 | 120(108-132) | 300 | 200 | 30000 | 225 | 13500 |
| 40D151K | 95 | 125 | 150(135-165) | 300 | 250 | 30000 | 285 | 11100 |
| 40D181K | 115 | 150 | 180(162-198) | 300 | 300 | 30000 | 335 | 9500 |
| 40D201K | 130 | 170 | 200(180-220) | 300 | 340 | 40000 | 370 | 8400 |
| 40D221K | 140 | 180 | 220(198-242) | 300 | 360 | 40000 | 400 | 8200 |
| 40D241K | 150 | 200 | 240(216-264) | 300 | 395 | 40000 | 430 | 8000 |
| 40D271K | 175 | 225 | 270(243-297) | 300 | 455 | 40000 | 470 | 7600 |
| 40D301K | 190 | 250 | 300(270-330) | 300 | 500 | 40000 | 510 | 7300 |
| 40D331K | 210 | 275 | 330(297-363) | 300 | 550 | 40000 | 550 | 6700 |
| 40D361K | 230 | 300 | 360(324-396) | 300 | 595 | 40000 | 570 | 6200 |
| 40D391K | 250 | 320 | 390(351-429) | 300 | 650 | 40000 | 590 | 5100 |
| 40D431K | 275 | 350 | 430(387-473) | 300 | 710 | 40000 | 660 | 4900 |
| 40D471K | 300 | 385 | 470(423-517) | 300 | 775 | 40000 | 720 | 4300 |
| 40D511K | 320 | 415 | 510(459-561) | 300 | 845 | 40000 | 770 | 4200 |
| 40D561K | 350 | 460 | 560(504-616) | 300 | 925 | 40000 | 810 | 4000 |
| 40D621K | 385 | 505 | 620(558-682) | 300 | 1025 | 40000 | 860 | 3800 |
| 40D681K | 420 | 560 | 680(612-748) | 300 | 1120 | 40000 | 900 | 3500 |
| 40D751K | 460 | 615 | 750(675-825) | 300 | 1240 | 40000 | 940 | 3200 |
| 40D781K | 485 | 640 | 780(702-858) | 300 | 1290 | 40000 | 980 | 3000 |
| 40D821K | 510 | 670 | 820(738-902) | 300 | 1355 | 40000 | 1080 | 2900 |
| 40D911K | 550 | 745 | 910(819-1001) | 300 | 1500 | 40000 | 1150 | 2200 |
| 40D951K | 575 | 765 | 950(855-1045) | 300 | 1570 | 40000 | 1200 | 2000년 |
| 40D102K | 625 | 825 | 1000(900-1100) | 300 | 1650년 | 40000 | 1260 | 1800년 |
| 40D112K | 680 | 895 | 1100(990-1210) | 300 | 1815년 | 40000 | 1380 | 1600 |
| 40D122K | 750 | 990 | 1200(1080-1320) | 300 | 1980년 | 40000 | 1460 | 1500 |
| 40D142K | 880 | 1140 | 1400(1260-1540) | 300 | 2310 | 40000 | 1550 | 1300 |
| 40D162K | 1000 | 1280 | 1600(1440-1760) | 300 | 2640 | 40000 | 1700 | 1150 |
| 40D101K | 60 | 85 | 100(90-110) | 300 | 165 | 30000 | 185 | 16500 |
금속 산화물 배리스터 40D431K의 특징
■ 최대 85ºC 주변 온도까지 경감 없음.
■ 8~1,800V의 넓은 작동 전압(V1mA) 범위
■ 과도 과전압에 대한 빠른 응답
■ 큰 과도 에너지 흡수 능력
■ 낮은 클램핑 비율 및 후속 전류 없음
■ 표준 디스크 크기 20mm, 25mm, 32mm, 40mm 및 53mm 직경
■ 방사형 납 에폭시 코팅
■ 압력 접점 및/또는 디스크 스태킹이 활용될 수 있음
■ 납땜 가능한 전극 마감 옵션
■ 5Vrms ~ 1000Vrm 범위의 넓은 작동 AC 전압
■ 6Vdc ~ 1465Vdc 범위의 넓은 작동 DC 전압
■ 25ns 미만의 빠른 응답 시간
■ 높은 서지 전류 처리 능력
■ 사용 가능한 가장자리 패시베이션 절연
■ 매우 높은 에너지 용량 WTM 200J ~ 1,800J
■ 고객별 Unique Packing을 위해 Disc 형태로 제공
■ RoHS 및 Reach 준수
금속 산화물 배리스터 40D431K의 응용
■ 트랜지스터, 다이오드, IC, 사이리스터 또는 TRIAC 반도체 보호
■ 가전제품의 서지 보호
■ 산업용 전자 제품의 서지 보호
■ 가전제품, 가스 및 석유제품의 서지 보호
■ 릴레이 및 전자 밸브 서지 흡수
■ 전원 공급 장치
■ 가전
■ 가전제품
■ 산업설비
■ 통신 또는 전화 시스템
금속 산화물 배리스터 40D431K의 치수 (mm)
| D(최대) | 45 |
| H(최대) | 60.2 |
| T(최대) | 참조테이블 |
| F(±0.5) | 25.4 |
| t(±0.1) | 0.5 |
| L(최소) | 16.5 |
| K(최대) | 3.18 |
| W(±0.5) | 7.0 |
| Ø (M3±0.2) | 3.8 |
| 모델 | T(최대) | 모델 | T(최대) |
| 201K | 6.2 | 751K | 9.4 |
| 241K | 6.4 | 781K | 9.6 |
| 271K | 6.6 | 821K | 9.8 |
| 331K | 6.9 | 911K | 10.4 |
| 361K | 7.1 | 951K | 10.6 |
| 391K | 7.3 | 102K | 11.2 |
| 431K | 7.5 | 112K | 11.8 |
| 471K | 7.8 | 122K | 12.3 |
| 511K | 8.0 | 142K | 13.3 |
| 621K | 8.7 | 162K | 14.3 |
| 681K | 9.0 |
금속 산화물 배리스터 40D431K의 일반적인 특성
■ 방사성 물질 없음
■ 보관 온도: -55 ~ +125°C
■ 작동 온도: -55 ~ +85°C
■ 본체: 니켈 도금
■ 리드: 표면 실장
■ 축 방향 장치: 주석 도금
■ 리드가 없는 장치: 니켈 도금
나사 장착
| 32D | 디스크, 피크 전류 25000A | -40℃~+105℃ | 200~1800Vdc | 250~1300Joule | 15000Amps(2회)~25000Amps(1회) |
| 34S | 사각, 피크 전류 40000A | -40℃~+105℃ | 200~1800Vdc | 330~1500Joule | 20000Amps(2회)~40000Amps(1회) |
| 40D | 디스크, 피크 전류 40000A | -40℃~+105℃ | 200~1800Vdc | 370~1800줄 | 20000Amps(2회)~40000Amps(1회) |
| 53D | 디스크, 피크 전류 70000A | -40℃~+105℃ | 200~1600Vdc | 550~2500Joule | 40000Amps(2회)~70000Amps(1회) |