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상세 정보 |
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| 이름: | 광센서 GB3-A1DPS | 특징: | 로에스 불만 |
|---|---|---|---|
| 분광 응답 범위: | 850nm | 최대 감도 사고 방식: | 400-1100nm |
| 암전류: | 0.1uA | 납땜 온도: | -40~+100℃ |
| 저장 온도: | -25~85℃ | 주요 소재: | 실리콘, 에폭시 수지 |
| 하이 라이트: | GB3 A1DPS 포토 스위치 센서,1100nm 85c 포토 스위치 센서,0.1uA 포토 센서 라이트 스위치 |
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제품 설명
가까운 IR 감지기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS에 보이는 ROHS 불만
■ 근적외선 검출기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS의 제품 설명
LXD/GB3-A1DPS 광 센서는 거의 가시광선에서 근적외선 범위에서만 스펙트럼 응답을 하며, LXD/GB3-A1DPS는 기존 유형과 다른 색온도에서 작은 허용 오차를 제공합니다.LXD/GB3-A1DPS는 금속 패키지와 동일한 모양의 플라스틱 패키지에 캡슐화되어 있습니다.LXD/GB3-A1DPS의 모양도 당사의 5R형 가시광선 센서(CdS 광전도 전지)와 유사하므로 LXD/GB3-A1DPS를 가시광선 및 근적외선 센서의 대체품으로 사용할 수 있습니다.
■ 가시광선 근적외선 감지기의 특징 플라스틱 패키지 포토센서 GB3-A1DPS
* 포토트랜지스터처럼 사용하기 쉬운 작동
* 광트랜지스터 및 CdS 광전도 셀에 비해 출력 전류 변동이 낮습니다.
* 우수한 선형성, 조명에 대한 우수한 선형 전류 출력
* 다른 색 온도에서 동일한 조도를 생성하는 광원에 대한 작은 허용 오차.
* 낮은 암전류 및 높은 광감도.
* RoHS 준수, 광전지에 대한 무카드뮴 대안.
■ 가시광선에서 근적외선 감지기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS의 응용
* 실내외 조명 전환(황혼/새벽 전환)
* 실내외 조명제어(디밍)
* 자동차 헤드라이트 조광기
* 디스플레이 대비 제어
* 색도계
* CdS 광전지 교체
가시광선에서 근적외선 감지기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS의 절대 최대 정격 / (Typ.Ta=25℃)
| 매개변수 | 상징 | 값 | 단위 |
| 컬렉터-이미터 전압 | 부사장 | 12 | V |
| 이미터-컬렉터-전압 | VEOC | 5 | V |
| 전력 손실 | PC | 70 | MW |
| 보관 온도 | 토프 | -25~85 | ℃ |
| 납땜 온도 | Tstg | -40~+100 | ℃ |
가시광선에서 근적외선 감지기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS의 전기 광학 특성(Typ.Ta=25℃)
| 매개변수 | 상징 | 상태 | 최소 | 일반 | 최대 | 단위 |
| 스펙트럼 응답 범위 | λp | / | - | 850 | - | nm |
| 피크 감도 파장 | λd | / | 400 | - | 1100 | nm |
| 암전류 | ID | Vdd=5V Ev=0 Lux | - | - | 0.1 | UA |
| 광전류 | 일리노이(1) | Vdd=5V Ev=10Lux | 3.0 | - | 5.0 | UA |
| Vdd=5V Ev=30Lux | 9.0 | - | 15.0 | UA | ||
| 광전류 | 일리노이(2)* | Vdd=5V Ev=100Lux | 30 | 40 | 50 | UA |
| 상승 시간 | 트르 | VCE=5V IC=1mA RL=1000Ω | 15 | ms | ||
| 가을 시간 | Tf | 15 | ||||
스펙트럼 응답 광전류 대 암전류 대 온도
■ 가시광선 근적외선 검출기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS의 동작 회로 예
■ 가시광선에서 근적외선 감지기 플라스틱 패키지 광센서 GB3-A1DPS의 치수 개요 (단위:mm)
가시광선 근적외선 감지기 플라스틱 패키지 포토 센서 GB3-A1DPS의 시리즈 사양
| 명세서 (mm) | 모델 | 최소 작동 전압 (V) | IR 거부 기능 | 광전류(uA) | 암전류 | 피크 스펙트럼 응답 | ||||
| @ 10럭스 | @ 100럭스 | @ 200럭스 | @ 1000럭스 | @ 2000럭스 | @ 0 럭스 | |||||
| ￠3 | LXD/GB3-A1C | 2.0V | ||||||||
| Iss = 250uA | 예 | 12.5 | 125 | 250 | - | - | < 1nA | 520nm | ||
| ￠5 | LXD/GB5-A1C | 2.0V | ||||||||
| Iss = 250uA | 예 | 12.5 | 125 | 250 | - | - | < 1nA | 520nm | ||
| ￠3 | LXD/GB3-A2C | 2.0V | ||||||||
| Iss = 250uA | 예 | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1nA | 520nm | ||
| ￠5 | LXD/GB5-A2C | 2.0V | ||||||||
| Iss = 250uA | 예 | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1nA | 520nm | ||
| ￠5 | LXD/GB5-A1DPF | 2.0V | 예 | 113 | 750 | - | 1318 | - | 4uA | 520nm |
| Iss = 250uA | ||||||||||
| ￠5 | LXD/GB5-A1DPB | 2.0V | 240 | |||||||
| IC=20mA,IB=100uA | 예 | 17 | 170 | - | - | < 10nA | 850nm | |||
| ￠5 | LXD/GB5-A1DPM | 2.0V | 600 | |||||||
| IC=20mA,IB=100uA | 예 | 30 | 300 | - | - | < 10nA | 850nm | |||